MOCVD
MOCVD即金属有机化合物化学气相沉淀，是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。铼因其优异的高温性能，作为MOCVD的关键加热部件使用。相比其它材料，纯铼加热部件具有电学性能更优、寿命更长、更耐恶劣工作气氛的显著特点而受到用户的青睐。
纯度：≥99.99%
MOCVD杂质含量表
元素 | 含量 （≤，%） | 元素 | 含量 （≤，%） | 元素 | 含量 （≤，%） |
Na | 0.0005 | Ni | 0.0001 | Bi | 0.0001 |
Mg | 0.0001 | Cu | 0.0001 | Co | 0.0001 |
Al | 0.0001 | Zn | 0.0005 | Fe | 0.0005 |
Si | 0.0005 | As | 0.0001 | Pb | 0.0001 |
P | 0.0005 | Zr | 0.0001 | Mn | 0.0001 |
K | 0.0005 | Mo | 0.0005 | W | 0.0005 |
Ca | 0.0005 | Cd | 0.0001 | Cr | 0.0001 |
Ti | 0.0001 | Sn | 0.0001 | Ta | 0.0001 |
V | 0.0001 | Sb | 0.0001 | —— | —— |